为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱激光器结构展开量子阱混杂(QWI)技术研究。在不同......

本文用卢瑟福背散射和光吸收技术研究了高剂量Ag离子注入SiO_2玻璃以及退火后的状况.吸收光谱测量表明,注入的Ag离子聚集形成了胶......

ZnO是一种在短波长光电器件领域有巨大应用价值的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,离子注入是常用的半导体掺杂技术,文章综述了国内外近年......

用离子注入结合离子交换技术形成了 KTiOPO4 平面光波导，研究了离子注入对离子交换波导结构的影响.使用棱镜耦合法测量了波导特性，结......

The surface conductivity of poly [2-methoxy-5-(3 -methyl)butoxy]-p-phenylene vinylene (PMOMBOPV) films doped with FeCl3 ......